0 0 0
  6. GD2X100MPS06N

Диодные модули GD2X100MPS06N

 
GD2X100MPS06N
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 621601
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 108Аx2; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 450.76 грн
3+
3 384.30 грн
10+
3 351.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 84 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
650В(1440613)
Прямой ток макс.
231А(1591986)
Падение напряжения макс.
1,8В(1612412)
Прямой ток
108А x2(1948701)
Конструкция диода
2 независимых диода(1440098)
Время готовности
10нс(1440298)
Импульсный ток
440А(1705757)
Вид упаковки
туба(1443467)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
диодный(1593875)
Характеристики полупроводниковых элементов
MPS(1711889)
Технология
SiC(1591568)
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,52 g
 
Диодные модули GD2X100MPS06N
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 621601
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 650В; If: 108Аx2; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
3 450.76 грн
3+
3 384.30 грн
10+
3 351.07 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 84 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
650В
Прямой ток макс.
231А
Падение напряжения макс.
1,8В
Прямой ток
108А x2
Конструкция диода
2 независимых диода
Время готовности
10нс
Импульсный ток
440А
Вид упаковки
туба
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
диодный
Характеристики полупроводниковых элементов
MPS
Технология
SiC
Дополнительная информация: Масса брутто: 35,52 g