0 0 0
  6. GD2X30MPS12N

Диодные модули GD2X30MPS12N

 
GD2X30MPS12N
 
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451853
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 30Аx2; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 298.45 грн
2+
2 173.25 грн
10+
2 172.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.(1671)
Корпус
SOT227B(1440097)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Прямой ток макс.
60А(1440996)
Падение напряжения макс.
1,5В(1439858)
Прямой ток
30А x2(1948656)
Конструкция диода
2 независимых диода(1440098)
Время готовности
10нс(1440298)
Импульсный ток
240А(1544043)
Вид упаковки
туба(1443467)
Электрический монтаж
винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
диодный(1593875)
Характеристики полупроводниковых элементов
MPS(1711889)
Технология
SiC(1591568)
Дополнительная информация: Масса брутто: 28 g
 
Диодные модули GD2X30MPS12N
GeneSiC SEMICONDUCTOR
Артикул: 451853
Модуль: диодный; 2 независимых диода; 1,2кВ; If: 30Аx2; SOT227B
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 298.45 грн
2+
2 173.25 грн
10+
2 172.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
GeneSiC Semiconductor Inc.
Корпус
SOT227B
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Прямой ток макс.
60А
Падение напряжения макс.
1,5В
Прямой ток
30А x2
Конструкция диода
2 независимых диода
Время готовности
10нс
Импульсный ток
240А
Вид упаковки
туба
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
диодный
Характеристики полупроводниковых элементов
MPS
Технология
SiC
Дополнительная информация: Масса брутто: 28 g