Драйверы MOSFET/IGBT 2ED020I12-FI

 
2ED020I12-FI
 
Артикул: 1160658
IC: driver; полумост IGBT; high-side,контроллер затвора IGBT
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
197.59 грн
5+
173.69 грн
7+
148.19 грн
19+
140.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 994 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-DSO-18(1503834)
Напряжение питания
0...5В(1900373) 14...18В(1623826)
Выходной ток
-2...1А(1623825)
Тип микросхемы
driver(1443705)
Кол-во каналов
2(1443907)
Характеристики интегральных схем
встроенный операционный усилитель(1623828) integrated bootstrap functionality(1619534) встроенный компаратор(1623827)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Защита
от снижения напряжения(1600603)
Технология
EiceDRIVER™(1742483)
Вид микросхемы
high-side(1492961) контроллер затвора IGBT(1623824)
Топология
полумост IGBT(1612529)
Класс напряжения
1,2кВ(1713792)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,657 g
 
Драйверы MOSFET/IGBT 2ED020I12-FI
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1160658
IC: driver; полумост IGBT; high-side,контроллер затвора IGBT
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
197.59 грн
5+
173.69 грн
7+
148.19 грн
19+
140.22 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 994 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-DSO-18
Напряжение питания
0...5В
Напряжение питания
14...18В
Выходной ток
-2...1А
Тип микросхемы
driver
Кол-во каналов
2
Характеристики интегральных схем
встроенный операционный усилитель
Характеристики интегральных схем
integrated bootstrap functionality
Характеристики интегральных схем
встроенный компаратор
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Защита
от снижения напряжения
Технология
EiceDRIVER™
Вид микросхемы
high-side
Вид микросхемы
контроллер затвора IGBT
Топология
полумост IGBT
Класс напряжения
1,2кВ
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,657 g