0 0 0
  8. AIMW120R045M1XKSA1

Транзисторы с каналом N THT AIMW120R045M1XKSA1

 
AIMW120R045M1XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410657
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 883.01 грн
2+
1 779.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
36А(1479316)
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
114Вт(1741844)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технология
SiC(1591568) CoolSiC™(1810683)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-7...20В(1981518)
Ток стока в импульсном режиме
130А(1758596)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,13 g
 
Транзисторы с каналом N THT AIMW120R045M1XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410657
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 36А; Idm: 130А; 114Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 883.01 грн
2+
1 779.90 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
36А
Сопротивление в открытом состоянии
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
114Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Технология
SiC
Технология
CoolSiC™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-7...20В
Ток стока в импульсном режиме
130А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,13 g