0 0 0
  8. BF888H6327XTSA1

Транзисторы NPN SMD BF888H6327XTSA1

 
BF888H6327XTSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 219282
Транзистор: NPN; биполярный; RF; 4В; 30мА; 0,16Вт; SOT343
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.57 грн
5+
18.80 грн
25+
16.49 грн
70+
14.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2546 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT343(1503861)
Частота
47ГГц(1748038)
Напряжение коллектор-эмиттер
4В(1507926)
Коэффициент усиления по току
250(1530122)
Ток коллектора
30мА(1440780)
Тип транзистора
NPN(1440761)
Рассеиваемая мощность
0,16Вт(1790346)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Вид транзистора
RF(1645036)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g
 
Транзисторы NPN SMD BF888H6327XTSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 219282
Транзистор: NPN; биполярный; RF; 4В; 30мА; 0,16Вт; SOT343
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.57 грн
5+
18.80 грн
25+
16.49 грн
70+
14.02 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2546 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SOT343
Частота
47ГГц
Напряжение коллектор-эмиттер
4В
Коэффициент усиления по току
250
Ток коллектора
30мА
Тип транзистора
NPN
Рассеиваемая мощность
0,16Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Вид транзистора
RF
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,015 g