0 0 0
  8. BFP640H6327XTSA1

Транзисторы NPN SMD BFP640H6327XTSA1

 
BFP640H6327XTSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 219293
Транзистор: NPN; SiGe: C; биполярный; RF; 4,1В; 50мА; 0,2Вт; SOT343
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.51 грн
10+
27.63 грн
50+
23.81 грн
57+
17.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2940 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT343(1503861)
Частота
42ГГц(1599161)
Напряжение коллектор-эмиттер
4,1В(1751471)
Коэффициент усиления по току
110...270(1751870)
Ток коллектора
50мА(1440792)
Тип транзистора
NPN(1440761)
Рассеиваемая мощность
0,2Вт(1507579)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
SiGe:C(1931605)
Вид транзистора
RF(1645036)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g
 
Транзисторы NPN SMD BFP640H6327XTSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 219293
Транзистор: NPN; SiGe: C; биполярный; RF; 4,1В; 50мА; 0,2Вт; SOT343
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
36.51 грн
10+
27.63 грн
50+
23.81 грн
57+
17.77 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2940 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SOT343
Частота
42ГГц
Напряжение коллектор-эмиттер
4,1В
Коэффициент усиления по току
110...270
Ток коллектора
50мА
Тип транзистора
NPN
Рассеиваемая мощность
0,2Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
SiGe:C
Вид транзистора
RF
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,017 g