0 0 0
  8. BFP740H6327XTSA1

Транзисторы NPN SMD BFP740H6327XTSA1

 
BFP740H6327XTSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 694982
Транзистор: NPN; SiGe: C; биполярный; HBT,RF; 13В; 45мА; 0,16Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
25.65 грн
25+
23.03 грн
52+
18.91 грн
143+
17.88 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2592 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT343(1503861)
Частота
44ГГц(1931603)
Напряжение коллектор-эмиттер
13В(1599160)
Коэффициент усиления по току
160...400(1707724)
Ток коллектора
45мА(1699670)
Тип транзистора
NPN(1440761)
Рассеиваемая мощность
0,16Вт(1790346)
Полярность
биполярный(1440762)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Технология
SiGe:C(1931605)
Вид транзистора
RF(1645036) HBT(1931606)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g
 
Транзисторы NPN SMD BFP740H6327XTSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 694982
Транзистор: NPN; SiGe: C; биполярный; HBT,RF; 13В; 45мА; 0,16Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
25.65 грн
25+
23.03 грн
52+
18.91 грн
143+
17.88 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2592 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SOT343
Частота
44ГГц
Напряжение коллектор-эмиттер
13В
Коэффициент усиления по току
160...400
Ток коллектора
45мА
Тип транзистора
NPN
Рассеиваемая мощность
0,16Вт
Полярность
биполярный
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Технология
SiGe:C
Вид транзистора
RF
Вид транзистора
HBT
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,019 g