0 0 0
  8. BSC009NE2LSATMA1

Транзисторы с каналом N SMD BSC009NE2LSATMA1

 
BSC009NE2LSATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075553
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
158.14 грн
5+
140.31 грн
8+
120.93 грн
22+
114.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TDSON-8(1599109)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
100А(1479496)
Сопротивление в открытом состоянии
0,9мОм(1603194)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
96Вт(1740786)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™(1596284)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,144 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BSC009NE2LSATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075553
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 100А; 96Вт; PG-TDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
158.14 грн
5+
140.31 грн
8+
120.93 грн
22+
114.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TDSON-8
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
100А
Сопротивление в открытом состоянии
0,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
96Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,144 g