0 0 0
  8. BSC100N06LS3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD BSC100N06LS3GATMA1

 
BSC100N06LS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075656
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
103.59 грн
5+
61.20 грн
21+
46.85 грн
58+
44.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3485 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TDSON-8(1599109)
Напряжение сток-исток
60В(1441252)
Ток стока
36А(1479316)
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм(1441308)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level(1712724)
Заряд затвора
45нC(1609966)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
200А(1741656)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,132 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BSC100N06LS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075656
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 36А; Idm: 200А; 50Вт; PG-TDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
103.59 грн
5+
61.20 грн
21+
46.85 грн
58+
44.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3485 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TDSON-8
Напряжение сток-исток
60В
Ток стока
36А
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
logic level
Заряд затвора
45нC
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
200А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,132 g