0 0 0
  8. BSC123N08NS3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD BSC123N08NS3GATMA1

 
BSC123N08NS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075664
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.97 грн
3+
52.55 грн
10+
47.14 грн
56+
46.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2899 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TDSON-8(1599109)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
55А(1441569)
Сопротивление в открытом состоянии
12,3мОм(1501024)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
66Вт(1740777)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,151 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BSC123N08NS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075664
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 55А; 66Вт; PG-TDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.97 грн
3+
52.55 грн
10+
47.14 грн
56+
46.37 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 2899 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TDSON-8
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
55А
Сопротивление в открытом состоянии
12,3мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
66Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,151 g