0 0 0
  7. BSL308PEH6327XTSA1

Транзисторы многоканальные BSL308PEH6327XTSA1

 
BSL308PEH6327XTSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000139
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
33.20 грн
25+
30.01 грн
43+
22.94 грн
116+
21.69 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2147 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSOP-6(1596136)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-2А(1492324)
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм(1441523)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Рассеиваемая мощность
0,5Вт(1507575)
Полярность
полевой(1441242)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
OptiMOS™ P3(1600690)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g
 
Транзисторы многоканальные BSL308PEH6327XTSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 000139
Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -30В; -2А; 0,5Вт; PG-TSOP-6
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
3+
33.20 грн
25+
30.01 грн
43+
22.94 грн
116+
21.69 грн
Мин. заказ: 3
Кратность:  1
Колличество: 2147 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSOP-6
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-2А
Сопротивление в открытом состоянии
80мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Рассеиваемая мощность
0,5Вт
Полярность
полевой
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
OptiMOS™ P3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,022 g