0 0 0
  8. BSO613SPVGXUMA1

Транзисторы с каналом P SMD BSO613SPVGXUMA1

 
BSO613SPVGXUMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 409317
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,44А; Idm: -13,8А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.46 грн
5+
62.87 грн
21+
48.42 грн
58+
45.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SO8(1441256)
Напряжение сток-исток
-60В(1492224)
Ток стока
-3,44А(1600702)
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом(1492358)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
2,5Вт(1449363)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
SIPMOS™(1596125)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
-13,8А(1809635)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,132 g
 
Транзисторы с каналом P SMD BSO613SPVGXUMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 409317
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -3,44А; Idm: -13,8А; 2,5Вт; SO8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
94.46 грн
5+
62.87 грн
21+
48.42 грн
58+
45.80 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
SO8
Напряжение сток-исток
-60В
Ток стока
-3,44А
Сопротивление в открытом состоянии
0,13Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
2,5Вт
Полярность
полевой
Технология
SIPMOS™
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
-13,8А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,132 g