0 0 0
  8. BSZ018NE2LSIATMA1

Транзисторы с каналом N SMD BSZ018NE2LSIATMA1

 
BSZ018NE2LSIATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075790
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
109.73 грн
15+
65.69 грн
42+
61.82 грн
1000+
61.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напряжение сток-исток
25В(1441346)
Ток стока
40А(1441305)
Сопротивление в открытом состоянии
1,8мОм(1479613)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
69Вт(1708603)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™(1596284)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BSZ018NE2LSIATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075790
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 25В; 40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
109.73 грн
15+
65.69 грн
42+
61.82 грн
1000+
61.05 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напряжение сток-исток
25В
Ток стока
40А
Сопротивление в открытом состоянии
1,8мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
69Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g