0 0 0
  8. BSZ086P03NS3EGATMA

Транзисторы с каналом P SMD BSZ086P03NS3EGATMA

 
BSZ086P03NS3EGATMA
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1170365
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
103.83 грн
3+
59.66 грн
10+
51.43 грн
23+
44.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-40А(1478950)
Сопротивление в открытом состоянии
8,6мОм(1599594)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
69Вт(1708603)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ P3(1600690)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,07 g
 
Транзисторы с каналом P SMD BSZ086P03NS3EGATMA
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1170365
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -40А; 69Вт; PG-TSDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
103.83 грн
3+
59.66 грн
10+
51.43 грн
23+
44.73 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-40А
Сопротивление в открытом состоянии
8,6мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
69Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ P3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,07 g