Транзисторы с каналом N SMD BSZ100N03MSGATMA1

 
BSZ100N03MSGATMA1
 
Артикул: 075824
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.34 грн
25+
28.48 грн
50+
20.03 грн
137+
18.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напряжение сток-исток
30В(1441247)
Ток стока
39А(1479333)
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм(1441308)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
30Вт(1507542)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BSZ100N03MSGATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075824
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 39А; 30Вт; PG-TSDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
56.34 грн
25+
28.48 грн
50+
20.03 грн
137+
18.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напряжение сток-исток
30В
Ток стока
39А
Сопротивление в открытом состоянии
10мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
30Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g