0 0 0
  8. BSZ12DN20NS3GATMA1

Транзисторы с каналом N SMD BSZ12DN20NS3GATMA1

 
BSZ12DN20NS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075830
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.97 грн
3+
64.69 грн
10+
52.01 грн
22+
45.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напряжение сток-исток
200В(1441311)
Ток стока
11,3А(1599918)
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом(1737453)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
50Вт(1520816)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ 3(1596289)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g
 
Транзисторы с каналом N SMD BSZ12DN20NS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 075830
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 11,3А; 50Вт; PG-TSDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
74.97 грн
3+
64.69 грн
10+
52.01 грн
22+
45.60 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напряжение сток-исток
200В
Ток стока
11,3А
Сопротивление в открытом состоянии
0,125Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
50Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ 3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,5 g