0 0 0
  8. BSZ180P03NS3GATMA1

Транзисторы с каналом P SMD BSZ180P03NS3GATMA1

 
BSZ180P03NS3GATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1170364
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
49.26 грн
10+
39.57 грн
25+
35.28 грн
49+
20.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-TSDSON-8(1596143)
Напряжение сток-исток
-30В(1478951)
Ток стока
-39,6А(1600727)
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм(1441515)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Рассеиваемая мощность
40Вт(1628442)
Полярность
полевой(1441242)
Технология
OptiMOS™ P3(1600690)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,068 g
 
Транзисторы с каналом P SMD BSZ180P03NS3GATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1170364
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -39,6А; 40Вт; PG-TSDSON-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
49.26 грн
10+
39.57 грн
25+
35.28 грн
49+
20.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 1 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-TSDSON-8
Напряжение сток-исток
-30В
Ток стока
-39,6А
Сопротивление в открытом состоянии
40мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Рассеиваемая мощность
40Вт
Полярность
полевой
Технология
OptiMOS™ P3
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,068 g