0 0 0
  7. FF200R12KT3EHOSA1

Модули IGBT FF200R12KT3EHOSA1

 
FF200R12KT3EHOSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 268776
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 836.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Корпус
AG-62MM-1(1585660)
Обратное напряжение макс.
1,2кВ(1440237)
Конструкция диода
общий эмиттер(1714007) транзистор/транзистор(1612519)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
200А(1441734)
Ток коллектора в импульсе
400А(1441739)
Рассеиваемая мощность
1,05кВт(1741895)
Электрический монтаж
коннекторы FASTON(1612508) винтами(1612386)
Механический монтаж
винтами(1446982)
Тип модуля
IGBT(1593532)
Топология
IGBT x2(1810327)
Дополнительная информация: Масса брутто: 340 g
 
Модули IGBT FF200R12KT3EHOSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 268776
Модуль: IGBT; транзистор/транзистор,общий эмиттер; IGBT x2
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
7 836.39 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Корпус
AG-62MM-1
Обратное напряжение макс.
1,2кВ
Конструкция диода
общий эмиттер
Конструкция диода
транзистор/транзистор
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
200А
Ток коллектора в импульсе
400А
Рассеиваемая мощность
1,05кВт
Электрический монтаж
коннекторы FASTON
Электрический монтаж
винтами
Механический монтаж
винтами
Тип модуля
IGBT
Топология
IGBT x2
Дополнительная информация: Масса брутто: 340 g