0 0 0
  8. IAUS165N08S5N029ATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IAUS165N08S5N029ATMA1

 
IAUS165N08S5N029ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168982
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
323.50 грн
4+
258.48 грн
11+
244.21 грн
500+
234.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HSOG-8(1742455)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
165А(1742456)
Сопротивление в открытом состоянии
2,9мОм(1599143)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
167Вт(1740791)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
31нC(1479192)
Технология
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
660А(1742457)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,856 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IAUS165N08S5N029ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1168982
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 165А; Idm: 660А; 167Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
323.50 грн
4+
258.48 грн
11+
244.21 грн
500+
234.70 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HSOG-8
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
165А
Сопротивление в открытом состоянии
2,9мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
167Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
31нC
Технология
OptiMOS™ 5
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
660А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,856 g