0 0 0
  8. IAUT300N08S5N012ATMA2

Транзисторы с каналом N SMD IAUT300N08S5N012ATMA2

 
IAUT300N08S5N012ATMA2
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076140
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
613.58 грн
3+
421.93 грн
7+
398.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HSOF-8(1599745)
Напряжение сток-исток
80В(1441260)
Ток стока
300А(1479599)
Сопротивление в открытом состоянии
1,2мОм(1479497)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
375Вт(1741741)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Заряд затвора
178нC(1714011)
Технология
OptiMOS™ 5(1599490)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,897 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IAUT300N08S5N012ATMA2
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076140
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 300А; 375Вт; PG-HSOF-8
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
613.58 грн
3+
421.93 грн
7+
398.75 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HSOF-8
Напряжение сток-исток
80В
Ток стока
300А
Сопротивление в открытом состоянии
1,2мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
375Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
178нC
Технология
OptiMOS™ 5
Вид канала
обогащенный
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,897 g