0 0 0
  8. IGT60R190D1SATMA1

Транзисторы с каналом N SMD IGT60R190D1SATMA1

 
IGT60R190D1SATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076146
Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
819.83 грн
2+
708.25 грн
4+
670.28 грн
10+
669.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 7 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PG-HSOF-8-3(1742469)
Ток управления
7,7мА(1742470)
Напряжение сток-исток
600В(1441385)
Ток стока
12,5А(1441293)
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-JFET(1492380)
Рассеиваемая мощность
55,5Вт(1742471)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
лента(1437179)
Заряд затвора
3,2нC(1610016)
Технология
CoolGaN™(1742467)
Вид транзистора
HEMT(1880396)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-10В(1981066)
Ток стока в импульсном режиме
23А(1741676)
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,838 g
 
Транзисторы с каналом N SMD IGT60R190D1SATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 076146
Транзистор: N-JFET; CoolGaN™; полевой; HEMT; 600В; 12,5А; Idm: 23А
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
819.83 грн
2+
708.25 грн
4+
670.28 грн
10+
669.50 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 7 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
PG-HSOF-8-3
Ток управления
7,7мА
Напряжение сток-исток
600В
Ток стока
12,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,19Ом
Тип транзистора
N-JFET
Рассеиваемая мощность
55,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
лента
Заряд затвора
3,2нC
Технология
CoolGaN™
Вид транзистора
HEMT
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-10В
Ток стока в импульсном режиме
23А
Дополнительная информация: Масса брутто: 0,838 g