0 0 0
  8. IHW30N110R3FKSA1

Транзисторы IGBT THT IHW30N110R3FKSA1

 
IHW30N110R3FKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220785
Транзистор: IGBT; 1,1кВ; 30А; 166Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
356.84 грн
3+
314.86 грн
4+
273.66 грн
10+
258.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,1кВ(1440904)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
30А(1440984)
Ток коллектора в импульсе
90А(1705293)
Время выключения
470нс(1757728)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
166Вт(1740800)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)(1863176)
Заряд затвора
180нC(1479420)
Технология
TRENCHSTOP™(1601289)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,17 g
 
Транзисторы IGBT THT IHW30N110R3FKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220785
Транзистор: IGBT; 1,1кВ; 30А; 166Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
356.84 грн
3+
314.86 грн
4+
273.66 грн
10+
258.89 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 3 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,1кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
90А
Время выключения
470нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
166Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Заряд затвора
180нC
Технология
TRENCHSTOP™
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,17 g