0 0 0
  8. IKB06N60TATMA1

Транзисторы IGBT SMD IKB06N60TATMA1

 
IKB06N60TATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220503
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 88Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
120.32 грн
5+
108.37 грн
10+
104.39 грн
25+
101.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
6А(1440922)
Ток коллектора в импульсе
18А(1712986)
Время включения
15нс(1441680)
Время выключения
188нс(1640209)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
88Вт(1741738)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
42нC(1478958)
Технология
TRENCHSTOP™(1601289)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы IGBT SMD IKB06N60TATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220503
Транзистор: IGBT; 600В; 6А; 88Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
120.32 грн
5+
108.37 грн
10+
104.39 грн
25+
101.20 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
6А
Ток коллектора в импульсе
18А
Время включения
15нс
Время выключения
188нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
88Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
42нC
Технология
TRENCHSTOP™
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g