0 0 0
  8. IKB15N65EH5ATMA1

Транзисторы IGBT SMD IKB15N65EH5ATMA1

 
IKB15N65EH5ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 291339
Транзистор: IGBT; 650В; 18А; 52,5Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
172.27 грн
5+
154.72 грн
9+
117.24 грн
24+
110.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
18А(1500559)
Ток коллектора в импульсе
45А(1645254)
Время включения
33нс(1587343)
Время выключения
172нс(1757692)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
52,5Вт(1741838)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
38нC(1479182)
Технология
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы IGBT SMD IKB15N65EH5ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 291339
Транзистор: IGBT; 650В; 18А; 52,5Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
172.27 грн
5+
154.72 грн
9+
117.24 грн
24+
110.86 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
18А
Ток коллектора в импульсе
45А
Время включения
33нс
Время выключения
172нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
52,5Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
38нC
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g