0 0 0
  8. IKB20N60TATMA1

Транзисторы IGBT SMD IKB20N60TATMA1

 
IKB20N60TATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 291341
Транзистор: IGBT; 600В; 28А; 166Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
187.26 грн
5+
168.13 грн
8+
129.09 грн
21+
121.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
28А(1478915)
Ток коллектора в импульсе
60А(1645252)
Время включения
32нс(1751800)
Время выключения
241нс(1694296)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
166Вт(1740800)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,12мкC(1950533)
Технология
TRENCHSTOP™(1601289)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы IGBT SMD IKB20N60TATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 291341
Транзистор: IGBT; 600В; 28А; 166Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
187.26 грн
5+
168.13 грн
8+
129.09 грн
21+
121.92 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
28А
Ток коллектора в импульсе
60А
Время включения
32нс
Время выключения
241нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
166Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,12мкC
Технология
TRENCHSTOP™
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g