0 0 0
  8. IKB30N65EH5ATMA1

Транзисторы IGBT SMD IKB30N65EH5ATMA1

 
IKB30N65EH5ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 291343
Транзистор: IGBT; 650В; 35А; 94Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
239.05 грн
5+
215.15 грн
6+
164.95 грн
17+
156.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
35А(1500592)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Время включения
52нс(1519233)
Время выключения
184нс(1757654)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
94Вт(1740794)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
70нC(1479303)
Технология
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы IGBT SMD IKB30N65EH5ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 291343
Транзистор: IGBT; 650В; 35А; 94Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
239.05 грн
5+
215.15 грн
6+
164.95 грн
17+
156.18 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
35А
Ток коллектора в импульсе
120А
Время включения
52нс
Время выключения
184нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
94Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
70нC
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g