0 0 0
  8. IKB30N65ES5ATMA1

Транзисторы IGBT SMD IKB30N65ES5ATMA1

 
IKB30N65ES5ATMA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1174666
Транзистор: IGBT; 650В; 39,5А; 94Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
240.00 грн
5+
216.16 грн
6+
166.09 грн
17+
157.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
D2PAK(1441498)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
39,5А(1757695)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Время включения
29нс(1757696)
Время выключения
154нс(1757697)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
94Вт(1740794)
Вид упаковки
бобина(1443488) лента(1437179)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
70нC(1479303)
Технология
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы IGBT SMD IKB30N65ES5ATMA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1174666
Транзистор: IGBT; 650В; 39,5А; 94Вт; D2PAK
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
240.00 грн
5+
216.16 грн
6+
166.09 грн
17+
157.35 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
SMD
Корпус
D2PAK
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
39,5А
Ток коллектора в импульсе
120А
Время включения
29нс
Время выключения
154нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
94Вт
Вид упаковки
бобина
Вид упаковки
лента
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
70нC
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g