0 0 0
  8. IKP08N65H5XKSA1

Транзисторы IGBT THT IKP08N65H5XKSA1

 
IKP08N65H5XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1171374
Транзистор: IGBT; 650В; 18А; 70Вт; TO220-3; H5
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
152.54 грн
3+
137.37 грн
10+
105.42 грн
27+
99.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
18А(1500559)
Ток коллектора в импульсе
24А(1713006)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
70Вт(1702087)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
22нC(1479158)
Серия
H5(1601689)
Технология
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,032 g
 
Транзисторы IGBT THT IKP08N65H5XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1171374
Транзистор: IGBT; 650В; 18А; 70Вт; TO220-3; H5
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
152.54 грн
3+
137.37 грн
10+
105.42 грн
27+
99.83 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
18А
Ток коллектора в импульсе
24А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
70Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
22нC
Серия
H5
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,032 g