0 0 0
  8. IKP20N65H5XKSA1

Транзисторы IGBT THT IKP20N65H5XKSA1

 
IKP20N65H5XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220825
Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 125Вт; TO220-3; H5
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
206.02 грн
3+
182.70 грн
7+
158.60 грн
18+
150.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 48 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
20А(1440977)
Ток коллектора в импульсе
60А(1645252)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
48нC(1479306)
Серия
H5(1601689)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,023 g
 
Транзисторы IGBT THT IKP20N65H5XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220825
Транзистор: IGBT; 650В; 20А; 125Вт; TO220-3; H5
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
206.02 грн
3+
182.70 грн
7+
158.60 грн
18+
150.04 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 48 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
20А
Ток коллектора в импульсе
60А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
125Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
48нC
Серия
H5
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,023 g