0 0 0
  8. IKP30N65H5XKSA1

Транзисторы IGBT THT IKP30N65H5XKSA1

 
IKP30N65H5XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1171370
Транзистор: IGBT; 650В; 36А; 188Вт; TO220-3; H5
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
254.77 грн
3+
225.22 грн
6+
195.67 грн
15+
185.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220-3(1551784)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
36А(1478918)
Ток коллектора в импульсе
90А(1705293)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
188Вт(1740799)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
70нC(1479303)
Серия
H5(1601689)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,02 g
 
Транзисторы IGBT THT IKP30N65H5XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1171370
Транзистор: IGBT; 650В; 36А; 188Вт; TO220-3; H5
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
254.77 грн
3+
225.22 грн
6+
195.67 грн
15+
185.29 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
36А
Ток коллектора в импульсе
90А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
188Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
70нC
Серия
H5
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,02 g