0 0 0
  8. IKQ40N120CH3XKSA1

Транзисторы IGBT THT IKQ40N120CH3XKSA1

 
IKQ40N120CH3XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220833
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 136Вт; TO247-3; H3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
908.04 грн
2+
628.17 грн
5+
593.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
40А(1440987)
Ток коллектора в импульсе
40А(1645250)
Время включения
76нс(1695188)
Время выключения
331нс(1695189)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
136Вт(1740748)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Серия
H3(1601691)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,88 g
 
Транзисторы IGBT THT IKQ40N120CH3XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220833
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 136Вт; TO247-3; H3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
908.04 грн
2+
628.17 грн
5+
593.96 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
40А
Ток коллектора в импульсе
40А
Время включения
76нс
Время выключения
331нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
136Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Серия
H3
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,88 g