0 0 0
  8. IKQ50N120CH3XKSA1

Транзисторы IGBT THT IKQ50N120CH3XKSA1

 
IKQ50N120CH3XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220835
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 173Вт; TO247-3; H3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 309.20 грн
2+
902.60 грн
3+
901.82 грн
4+
852.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
173Вт(1741835)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
235нC(1634343)
Серия
H3(1601691)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,9 g
 
Транзисторы IGBT THT IKQ50N120CH3XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220835
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 173Вт; TO247-3; H3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 309.20 грн
2+
902.60 грн
3+
901.82 грн
4+
852.85 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
200А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
173Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
235нC
Серия
H3
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,9 g