0 0 0
  8. IKW25N120H3FKSA1

Транзисторы IGBT THT IKW25N120H3FKSA1

 
IKW25N120H3FKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1010460
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
575.30 грн
3+
441.58 грн
7+
417.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 25 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
100А(1441718)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
326Вт(1741821)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
115нC(1607626)
Серия
H3(1601691)
Технология
TRENCHSTOP™ 3(1601718)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,08 g
 
Транзисторы IGBT THT IKW25N120H3FKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 1010460
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 50А; 326Вт; TO247-3; H3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
575.30 грн
3+
441.58 грн
7+
417.48 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 25 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
100А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
326Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
115нC
Серия
H3
Технология
TRENCHSTOP™ 3
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,08 g