0 0 0
  8. IKW30N60H3FKSA1

Транзисторы IGBT THT IKW30N60H3FKSA1

 
IKW30N60H3FKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220851
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 94Вт; TO247-3; H3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
302.42 грн
5+
208.35 грн
14+
197.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 51 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
30А(1440984)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
94Вт(1740794)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
165нC(1479367)
Серия
H3(1601691)
Технология
TRENCHSTOP™ 3(1601718)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,13 g
 
Транзисторы IGBT THT IKW30N60H3FKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220851
Транзистор: IGBT; 600В; 30А; 94Вт; TO247-3; H3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
302.42 грн
5+
208.35 грн
14+
197.47 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 51 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
120А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
94Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
165нC
Серия
H3
Технология
TRENCHSTOP™ 3
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,13 g