0 0 0
  8. IKW30N65ES5XKSA1

Транзисторы IGBT THT IKW30N65ES5XKSA1

 
IKW30N65ES5XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220854
Транзистор: IGBT; 650В; 39,5А; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
381.72 грн
3+
342.85 грн
4+
263.55 грн
11+
249.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 26 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
39,5А(1757695)
Ток коллектора в импульсе
120А(1441628)
Время включения
29нс(1757696)
Время выключения
154нс(1757697)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
70нC(1479303)
Технология
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,12 g
 
Транзисторы IGBT THT IKW30N65ES5XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220854
Транзистор: IGBT; 650В; 39,5А; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
381.72 грн
3+
342.85 грн
4+
263.55 грн
11+
249.56 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 26 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
39,5А
Ток коллектора в импульсе
120А
Время включения
29нс
Время выключения
154нс
Тип транзистора
IGBT
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
70нC
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,12 g