0 0 0
  8. IKW30N65WR5XKSA1

Транзисторы IGBT THT IKW30N65WR5XKSA1

 
IKW30N65WR5XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220857
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 75Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
301.93 грн
3+
270.72 грн
5+
227.03 грн
13+
214.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 35 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
30А(1440984)
Ток коллектора в импульсе
90А(1705293)
Время включения
51нс(1645256)
Время выключения
376нс(1713009)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
75Вт(1701926)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
155нC(1479498)
Технология
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,15 g
 
Транзисторы IGBT THT IKW30N65WR5XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220857
Транзистор: IGBT; 650В; 30А; 75Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
301.93 грн
3+
270.72 грн
5+
227.03 грн
13+
214.55 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 35 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
30А
Ток коллектора в импульсе
90А
Время включения
51нс
Время выключения
376нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
75Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
155нC
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,15 g