0 0 0
  8. IKW40N120T2FKSA1

Транзисторы IGBT THT IKW40N120T2FKSA1

 
IKW40N120T2FKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 952529
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 480Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
712.36 грн
2+
545.91 грн
6+
515.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ(1440895)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
40А(1440987)
Ток коллектора в импульсе
165А(1750695)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
480Вт(1741831)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
192нC(1633667)
Технология
TRENCHSTOP™(1601289)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,125 g
 
Транзисторы IGBT THT IKW40N120T2FKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 952529
Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 40А; 480Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
712.36 грн
2+
545.91 грн
6+
515.93 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 30 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
1,2кВ
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
40А
Ток коллектора в импульсе
165А
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
480Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
192нC
Технология
TRENCHSTOP™
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,125 g