Транзисторы IGBT THT IKW40N65ES5XKSA1

 
IKW40N65ES5XKSA1
 
Артикул: 220863
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 115Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
444.70 грн
3+
400.23 грн
4+
308.17 грн
9+
291.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
160А(1694411)
Время включения
37нс(1607623)
Время выключения
153нс(1757660)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
115Вт(1702082)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
95нC(1609950)
Технология
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,14 g
 
Транзисторы IGBT THT IKW40N65ES5XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220863
Транзистор: IGBT; 650В; 50А; 115Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
444.70 грн
3+
400.23 грн
4+
308.17 грн
9+
291.01 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
160А
Время включения
37нс
Время выключения
153нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
115Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
95нC
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,14 g