0 0 0
  8. IKW50N60H3FKSA1

Транзисторы IGBT THT IKW50N60H3FKSA1

 
IKW50N60H3FKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220869
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
460.24 грн
3+
352.96 грн
8+
333.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 48 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
50А(1440988)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Время включения
54нс(1717727)
Время выключения
297нс(1793755)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
167Вт(1740791)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
315нC(1750634)
Серия
H3(1601691)
Технология
TRENCHSTOP™ 3(1601718)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,17 g
 
Транзисторы IGBT THT IKW50N60H3FKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220869
Транзистор: IGBT; 600В; 50А; 167Вт; TO247-3; H3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
460.24 грн
3+
352.96 грн
8+
333.52 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 48 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
50А
Ток коллектора в импульсе
200А
Время включения
54нс
Время выключения
297нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
167Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
315нC
Серия
H3
Технология
TRENCHSTOP™ 3
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,17 g