0 0 0
  8. IKW50N65ES5XKSA1

Транзисторы IGBT THT IKW50N65ES5XKSA1

 
IKW50N65ES5XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220872
Транзистор: IGBT; 650В; 60,5А; 137Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
354.51 грн
3+
318.75 грн
5+
244.89 грн
12+
231.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
60,5А(1713013)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Время включения
47нс(1694427)
Время выключения
161нс(1751523)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
137Вт(1740759)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
0,12мкC(1950533)
Технология
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,5 g
 
Транзисторы IGBT THT IKW50N65ES5XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220872
Транзистор: IGBT; 650В; 60,5А; 137Вт; TO247-3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
354.51 грн
3+
318.75 грн
5+
244.89 грн
12+
231.68 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
60,5А
Ток коллектора в импульсе
200А
Время включения
47нс
Время выключения
161нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
137Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
0,12мкC
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,5 g