0 0 0
  8. IKW60N60H3FKSA1

Транзисторы IGBT THT IKW60N60H3FKSA1

 
IKW60N60H3FKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 985519
Транзистор: IGBT; 600В; 60А; 416Вт; TO247-3; H3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
602.17 грн
3+
416.77 грн
7+
393.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 8 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-3(1551782)
Напряжение коллектор-эмиттер
600В(1440924)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
60А(1441121)
Ток коллектора в импульсе
180А(1441704)
Время включения
64нс(1441705)
Время выключения
314нс(1757701)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
416Вт(1741795)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Заряд затвора
375нC(1745111)
Серия
H3(1601691)
Технология
TRENCHSTOP™(1601289)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,14 g
 
Транзисторы IGBT THT IKW60N60H3FKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 985519
Транзистор: IGBT; 600В; 60А; 416Вт; TO247-3; H3
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
602.17 грн
3+
416.77 грн
7+
393.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 8 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Напряжение коллектор-эмиттер
600В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
60А
Ток коллектора в импульсе
180А
Время включения
64нс
Время выключения
314нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
416Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Заряд затвора
375нC
Серия
H3
Технология
TRENCHSTOP™
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,14 g