Транзисторы IGBT THT IKZ50N65NH5XKSA1

 
IKZ50N65NH5XKSA1
 
Артикул: 220887
Транзистор: IGBT; 650В; 54А; 136Вт; TO247-4; H5
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
353.38 грн
3+
316.93 грн
5+
243.25 грн
12+
229.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение коллектор-эмиттер
650В(1478928)
Напряжение затвор - эмиттер
±20В(1628461)
Ток коллектора
54А(1541494)
Ток коллектора в импульсе
200А(1441618)
Время включения
30нс(1444798)
Время выключения
275нс(1706644)
Тип транзистора
IGBT(1441613)
Рассеиваемая мощность
136Вт(1740748)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode(1834677)
Серия
H5(1601689)
Технология
TRENCHSTOP™ 5(1601687)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,8 g
 
Транзисторы IGBT THT IKZ50N65NH5XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 220887
Транзистор: IGBT; 650В; 54А; 136Вт; TO247-4; H5
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
353.38 грн
3+
316.93 грн
5+
243.25 грн
12+
229.78 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение коллектор-эмиттер
650В
Напряжение затвор - эмиттер
±20В
Ток коллектора
54А
Ток коллектора в импульсе
200А
Время включения
30нс
Время выключения
275нс
Тип транзистора
IGBT
Рассеиваемая мощность
136Вт
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
integrated anti-parallel diode
Серия
H5
Технология
TRENCHSTOP™ 5
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,8 g