0 0 0
  8. IMW120R220M1HXKSA1

Транзисторы с каналом N THT IMW120R220M1HXKSA1

 
IMW120R220M1HXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410662
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
696.44 грн
2+
530.69 грн
6+
501.21 грн
30+
497.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
9,5А(1479197)
Сопротивление в открытом состоянии
416мОм(1801420)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
37,5Вт(1741926)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технология
SiC(1591568) CoolSiC™(1810683)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-7...23В(1981519)
Ток стока в импульсном режиме
21А(1789230)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,11 g
 
Транзисторы с каналом N THT IMW120R220M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410662
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 9,5А; Idm: 21А; 37,5Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
696.44 грн
2+
530.69 грн
6+
501.21 грн
30+
497.23 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
9,5А
Сопротивление в открытом состоянии
416мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
37,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Технология
SiC
Технология
CoolSiC™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-7...23В
Ток стока в импульсном режиме
21А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,11 g