0 0 0
  8. IMW65R027M1HXKSA1

Транзисторы с каналом N THT IMW65R027M1HXKSA1

 
IMW65R027M1HXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410664
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 851.17 грн
2+
1 750.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
39А(1479333)
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм(1441501)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
189Вт(1740829)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технология
SiC(1591568) CoolSiC™(1810683)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...23В(1981520)
Ток стока в импульсном режиме
185А(1812413)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,5 g
 
Транзисторы с каналом N THT IMW65R027M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410664
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 39А; Idm: 185А; 189Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 851.17 грн
2+
1 750.31 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
39А
Сопротивление в открытом состоянии
35мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
189Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Технология
SiC
Технология
CoolSiC™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...23В
Ток стока в импульсном режиме
185А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,5 g