0 0 0
  8. IMW65R048M1HXKSA1

Транзисторы с каналом N THT IMW65R048M1HXKSA1

 
IMW65R048M1HXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410665
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 146.02 грн
3+
1 083.42 грн
100+
1 066.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247(1440138)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
24А(1441564)
Сопротивление в открытом состоянии
63мОм(1479118)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
125Вт(1701920)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Технология
SiC(1591568) CoolSiC™(1810683)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...23В(1981520)
Ток стока в импульсном режиме
100А(1758515)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,5 g
 
Транзисторы с каналом N THT IMW65R048M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410665
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 24А; Idm: 100А; 125Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 146.02 грн
3+
1 083.42 грн
100+
1 066.42 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
24А
Сопротивление в открытом состоянии
63мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
125Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Технология
SiC
Технология
CoolSiC™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...23В
Ток стока в импульсном режиме
100А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,5 g