0 0 0
  8. IMZ120R030M1HXKSA1

Транзисторы с каналом N THT IMZ120R030M1HXKSA1

 
IMZ120R030M1HXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410668
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 028.27 грн
2+
1 917.88 грн
3+
1 917.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 28 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
45А(1441307)
Сопротивление в открытом состоянии
57мОм(1619503)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
114Вт(1741844)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Технология
SiC(1591568) CoolSiC™(1810683)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-7...23В(1981519)
Ток стока в импульсном режиме
150А(1758586)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,15 g
 
Транзисторы с каналом N THT IMZ120R030M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410668
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 45А; Idm: 150А; 114Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
2 028.27 грн
2+
1 917.88 грн
3+
1 917.08 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 28 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
45А
Сопротивление в открытом состоянии
57мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
114Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Технология
SiC
Технология
CoolSiC™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-7...23В
Ток стока в импульсном режиме
150А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,15 g