0 0 0
  8. IMZ120R090M1HXKSA1

Транзисторы с каналом N THT IMZ120R090M1HXKSA1

 
IMZ120R090M1HXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410670
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 054.17 грн
2+
756.49 грн
4+
715.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
1,2кВ(1593801)
Ток стока
18А(1479247)
Сопротивление в открытом состоянии
0,17Ом(1492503)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
58Вт(1716674)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Технология
SiC(1591568) CoolSiC™(1810683)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-7...23В(1981519)
Ток стока в импульсном режиме
50А(1758516)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,5 g
 
Транзисторы с каналом N THT IMZ120R090M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410670
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 18А; Idm: 50А; 58Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 054.17 грн
2+
756.49 грн
4+
715.21 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
1,2кВ
Ток стока
18А
Сопротивление в открытом состоянии
0,17Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
58Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Технология
SiC
Технология
CoolSiC™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-7...23В
Ток стока в импульсном режиме
50А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,5 g