0 0 0
  8. IMZA65R107M1HXKSA1

Транзисторы с каналом N THT IMZA65R107M1HXKSA1

 
IMZA65R107M1HXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410677
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 13А; Idm: 48А; 75Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 063.87 грн
2+
758.77 грн
4+
717.46 грн
100+
706.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO247-4(1624837)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
13А(1441372)
Сопротивление в открытом состоянии
139мОм(1760036)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
75Вт(1701926)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal(1786848)
Технология
SiC(1591568) CoolSiC™(1810683)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
-5...23В(1981520)
Ток стока в импульсном режиме
48А(1741686)
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,5 g
 
Транзисторы с каналом N THT IMZA65R107M1HXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 410677
Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 650В; 13А; Idm: 48А; 75Вт
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
1 063.87 грн
2+
758.77 грн
4+
717.46 грн
100+
706.33 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO247-4
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
13А
Сопротивление в открытом состоянии
139мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
75Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
Kelvin terminal
Технология
SiC
Технология
CoolSiC™
Вид канала
обогащенный
Напряжение затвор-исток
-5...23В
Ток стока в импульсном режиме
48А
Дополнительная информация: Масса брутто: 6,5 g