0 0 0
  8. IPA60R180P7XKSA1

Транзисторы с каналом N THT IPA60R180P7XKSA1

 
IPA60R180P7XKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 445093
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11А; Idm: 53А; 26Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
162.97 грн
3+
147.00 грн
9+
112.64 грн
25+
106.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
650В(1492415)
Ток стока
11А(1479209)
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом(1459400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
26Вт(1741903)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
25нC(1479056)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
53А(1810500)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPA60R180P7XKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 445093
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 650В; 11А; Idm: 53А; 26Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
162.97 грн
3+
147.00 грн
9+
112.64 грн
25+
106.25 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Срок поставки:  уточняйте
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
650В
Ток стока
11А
Сопротивление в открытом состоянии
0,18Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
26Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Заряд затвора
25нC
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
53А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2 g