0 0 0
  8. IPA70R360P7SXKSA1

Транзисторы с каналом N THT IPA70R360P7SXKSA1

 
IPA70R360P7SXKSA1
 
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401948
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; Idm: 34А; 26,5Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
93.23 грн
10+
80.48 грн
19+
54.98 грн
51+
51.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 79 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Купить
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES(47)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
TO220FP(1440905)
Напряжение сток-исток
700В(1441588)
Ток стока
7,5А(1441286)
Сопротивление в открытом состоянии
0,36Ом(1638677)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Рассеиваемая мощность
26,5Вт(1741970)
Полярность
полевой(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate(1712711)
Технология
CoolMOS™ P7(1670282)
Вид канала
обогащенный(1536812)
Напряжение затвор-исток
Ток стока в импульсном режиме
34А(1759386)
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,154 g
 
Транзисторы с каналом N THT IPA70R360P7SXKSA1
INFINEON TECHNOLOGIES
Артикул: 401948
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 700В; 7,5А; Idm: 34А; 26,5Вт; TO220FP
Количество (шт.)
Цена без НДС (грн/шт.)
1+
93.23 грн
10+
80.48 грн
19+
54.98 грн
51+
51.79 грн
Мин. заказ: 1
Кратность:  1
Колличество: 79 шт.
Срок поставки:  2-4 недели
Спецификация
Производитель
INFINEON TECHNOLOGIES
Монтаж
THT
Корпус
TO220FP
Напряжение сток-исток
700В
Ток стока
7,5А
Сопротивление в открытом состоянии
0,36Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Рассеиваемая мощность
26,5Вт
Полярность
полевой
Вид упаковки
туба
Характеристики полупроводниковых элементов
ESD protected gate
Технология
CoolMOS™ P7
Вид канала
обогащенный
Ток стока в импульсном режиме
34А
Дополнительная информация: Масса брутто: 2,154 g